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70T633S10BCI BOM Service IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA 70T633S10BCI

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Shenzhen Biguang Tech Co., Ltd. 3 yrs CN

Atributos clave

Otros atributos

Lugar del origen
Taiwan, China
Marca
70T633S10BCI
Número de Modelo
70T633S10BCI
Descripción
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA
Tipo de embajaje
Tray
Función
Memory
Aplicación
Memory
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo
Volatile
PAQUETE/cubierta
256-LBGA
Serie
-
Características
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Código de fecha de fabricación
Newest
Referencia cruzada
-
Química de la batería
Standard
Memory Format
SRAM
Memory Size
9Mbit
Memory Organization
512K x 18
Memory Interface
Parallel
Clock Frequency
-
Write Cycle Time - Word Page
10ns
Access Time
10 ns
Voltage - Supply
2.4V ~ 2.6V
Technology
SRAM - Dual Port, Asynchronous
Warranty
One Year

Embalaje y entrega

Unidades de venta:
Un solo artículo
Tamaño de paquete único:
1X1X1 cm
Peso bruto único:
1.000 kg
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