Tipo de montaje
Agujero Throught
Descripción
Transistor de 60A 650V IGBT
Lugar del origen
original
Temperatura de funcionamiento
Estándar
Tipo de Proveedor
Fabricante original, ODM, Agencia, Minorista
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD, Otros
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
Estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
Estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
Estándar
Temperatura de funcionamiento
Standard
Resistencia Base (R1)
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Resistencia-emisor Base (R2)
Estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
Estándar
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
Estándar
Rds (Max) @ Id Vgs
Estándar
Vgs (th) (Max) @ Id
Estándar
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
Estándar
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
Estándar
Corriente nominal (en amperios)
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Potencia de salida
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-Tensión nominal
Estándar
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
Estándar
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
Estándar
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
Estándar
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
Estándar
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
Estándar
Corriente de drenaje (Id).
Estándar
-Tensión de corte (VGS) @ Id
Estándar
Resistencia-On (RDS)
Estándar
Tensión de salida-salida
Estándar
-Tensión Offset (Vt)
Estándar
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
Estándar
Corriente de Valle Iv)
Estándar
Corriente de pico
Estándar
TIEMPO DE PLENO
1-3 días laborables
Servicio
Servicio One Stop Bom
Ficha de datos
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Inversor
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