Lugar del origen
Guangdong, China
Tipo
Transistor, Original
Temperatura de funcionamiento
Standard
Tipo de Proveedor
Fabricante Original
Referencia cruzada
Standard
Los medios disponibles
Hoja de Datos
Corriente de colector (Ic) (máx.)
Standard
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
Standard
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
Standard
Corriente de colector de corte (Max)
Standard
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
Standard
-Frecuencia de transición
Standard
Resistencia Base (R1)
Standard
Resistencia-emisor Base (R2)
Standard
FET característica
Estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
Standard
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
Standard
Rds (Max) @ Id Vgs
Standard
Vgs (th) (Max) @ Id
Standard
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
Standard
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
Standard
Corriente nominal (en amperios)
Standard
Potencia de salida
Standard
-Tensión nominal
Standard
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
Standard
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
Standard
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
Standard
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
Standard
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
Standard
Corriente de drenaje (Id).
Standard
-Tensión de corte (VGS) @ Id
Standard
Resistencia-On (RDS)
Standard
Tensión de salida-salida
Standard
-Tensión Offset (Vt)
Standard
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
Standard
Corriente de Valle Iv)
Standard
Corriente de pico
Standard
Tipo de Transistor
Standard
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Lead time
1-3 Working Days
Packing
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