BCP5116TA SOT-223 PNP, 45V 1A MOSFET diodo de triodo el transistor
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Atributos clave
Especificación esencial de la industria
Número de Modelo
BCP5116TA
Tipo
MOSFET
Marca
YMX
Tipo de paquete
Montaje superficial
Otros atributos
Lugar del origen
Guangdong, China
PAQUETE/cubierta
1
Uso
Micrófono
Tipo de Proveedor
Fabricante original, Agencia, Minorista, Other
Referencia cruzada
PNP 45V 1A
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD, Other
Corriente de colector (Ic) (máx.)
1
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
1
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
1
Corriente de colector de corte (Max)
1
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
1
Poder-Max
1
-Frecuencia de transición
1
Resistencia Base (R1)
1
Resistencia-emisor Base (R2)
1
FET tipo
1
FET característica
Carburo de silicio (SiC)
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
1
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
1
Rds (Max) @ Id Vgs
1
Vgs (th) (Max) @ Id
1
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
1
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1
Frecuencia
1
Corriente nominal (en amperios)
1
Ruido
1
Potencia de salida
1
-Tensión nominal
1
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
1
Vgs (Max)
1
Tipo IGBT de
1
Configuración
SOLO
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
1
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
1
De entrada
1
Termistor NTC
1
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
1
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
1
Corriente de drenaje (Id).
1
-Tensión de corte (VGS) @ Id
1
Resistencia-On (RDS)
1
Tensión de salida-salida
1
-Tensión Offset (Vt)
1
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
1
Corriente de Valle Iv)
1
Corriente de pico
1
Embalaje y entrega
Unidades de venta:
Un solo artículo
Tamaño de paquete único:
0.01X0.01X0.01 cm
Peso bruto único:
0.001 kg
Plazo de entrega
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