Cotización con descuento STO67N60DM6 600V 33A 59m 23.75A,10V 150W 4,75 V 250uA 1PCSNChannel - MOSFET ROHS STO67N60DM6

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Shenzhen Zhixinheng Technology Co., Ltd. 2 yrs

CN

Cotización con descuento STO67N60DM6 600V 33A 59m 23.75A,10V 150W 4,75 V 250uA 1PCSNChannel - MOSFET ROHS STO67N60DM6

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Atributos clave

Otros atributos

Lugar del origen

standard

Marca

Sxinen

Número de Modelo

STO67N60DM6

Tipo de montaje

1PCSNChannel

Descripción

Estándar

Aplicación

Estándar

Tipo

1PCSNChannel

Serie

Estándar

Características

Estándar

Código de fecha de fabricación

Estándar

Temperatura de funcionamiento

-55 °C ~ + 150 °C @(Tj)

Categoría

Transistores/Tiristores/MOSFETs

Voltaje de fuente de drenaje (Vdss)

600V

Disipación de potencia (Pd)

150W

Corriente de drenaje continuo (Id)

33A

Voltaje del umbral de la puerta (Vgs (TH) @ Id)

4,75 V @ 250uA

Carga total de la puerta (Qg @ Vgs)

72.5nC @ 10V

Ficha de datos

STMicroelectronics STO67N60DM6

Fuente de drenaje en la resistencia (RDS (encendido) @ Vgs

59m@23.75A10V

Embalaje y entrega

Unidades de venta:

Un solo artículo

Tamaño de paquete único:

13X8X4.5 cm

Peso bruto único:

0.010 kg

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