Lugar del origen
Guangdong, China
PAQUETE/cubierta
standard, Electronic Component Standard Reel/Box Packing
Tipo
standard, IGBT Transistor
Temperatura de funcionamiento
standard
Uso
Power Switch Circuits, Communication/Electronics/Lighting
Tipo de Proveedor
Fabricante original, Other
Referencia cruzada
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Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto, Other
Corriente de colector (Ic) (máx.)
15A
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
230V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
3V @ 800mA, 8A
Corriente de colector de corte (Max)
5uA (ICBO)
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
55 @ 1A, 5V, 80
-Frecuencia de transición
30MHz
Resistencia Base (R1)
As Parameter
Resistencia-emisor Base (R2)
As Parameter
FET característica
Carburo de silicio (SiC)
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
As Parameter
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
As Parameter
Rds (Max) @ Id Vgs
As Parameter
Vgs (th) (Max) @ Id
As Parameter
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
As Parameter
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
As Parameter
Frecuencia
Original standard
Corriente nominal (en amperios)
15 A
Potencia de salida
150 Watt
-Tensión nominal
230 Volts
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
As Parameter
Tipo IGBT de
As Parameter
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
As Parameter
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
Original standard
Termistor NTC
As Parameter
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
As Parameter
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
As Parameter
Corriente de drenaje (Id).
As Parameter
-Tensión de corte (VGS) @ Id
As Parameter
Resistencia-On (RDS)
As Parameter
Tensión
230 Volts Max Current
Tensión de salida-salida
230V
-Tensión Offset (Vt)
As Parameter
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
As Parameter
Corriente de Valle Iv)
As Parameter
Corriente de pico
As Parameter
Aplicaciones
Original standard
Tipo de Transistor
Audio Power Transistor
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