MOSFET de transisotor MOS de alta calidad 650V 130A MAX247 STY139N65M5

Name: MOSFET de transisotor MOS de alta calidad 650V 130A MAX247 STY139N65M5
Brand: Shenzhen Shiji Chaoyue Electronics Co., Ltd.
SKU: 1601101067218
Price: 2.6 USD
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Shenzhen Shiji Chaoyue Electronics Co., Ltd.

Proveedor multi-especialidad 6 yrs

MOSFET de transisotor MOS de alta calidad 650V 130A MAX247 STY139N65M5

Manejo de alta potencia: este transistor MOSFET de canal N puede manejar una corriente máxima de 130A y un voltaje de drenaje a fuente de 650V, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta potencia.
Amplio Rango de temperatura de funcionamiento: el transistor puede funcionar a temperaturas de hasta 150 °C, lo que garantiza un rendimiento fiable en entornos exigentes.
Baja resistencia de encendido: con un RDS máximo (encendido) de 17mΩ, este transistor reduce la pérdida de potencia y la generación de calor, mejorando la eficiencia general del sistema.
Diseño compacto: El paquete TO-247-3 permite un fácil montaje y ahorro de espacio en diseños electrónicos, ideal para aplicaciones donde el espacio es limitado.
Componentes de alta calidad: Como un producto de marca original, este transistor MOSFET ofrece un rendimiento confiable y una larga vida útil, reduciendo la necesidad de reemplazos frecuentes.

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Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo

STY139N65M5

Tipo

MOSFET

Marca

Original Brand

Tipo de paquete

Agujero de labranza

Otros atributos

Tipo de montaje

SMD/SMT, Through Hole

Descripción

TRANSISTORS, MOSFET N-CH 650V 130A MAX247

Lugar del origen

Guangdong, China

PAQUETE/cubierta

TO-247-3

Tipo

RF TRANSISTOR

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

品名

MOSFET N-CH 650V 130A MAX247

FET tipo

N-Channel

Tensión de drenador a fuente (Vdss)

650V

Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C

130A (Tc)

Rds (Max) @ Id Vgs

17mOhm @ 65A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250uA, 5V @ 250uA

La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs

363nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)

15600pF @ 100V

Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)

10V

Vgs (Max)

±25V

Part Number

STY139N65M5

Drain to Source Voltage

650V

Current @ 25°C

130A (Tc)

Gate Charge @ Vgs

363nC @ 10V

Input Capacitance @ Vds

5V @ 250uA

Power Dissipation (Max)

625W (Tc)

Supplier Device Package

TO-247

Company

SHIJI CHAOYUE

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