IRFZ24NPBF Transistores de efecto de campo de potencia MOSFET 55V 17A TO220AB Circuitos integrados IC chip IRFZ24NPBF
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Atributos clave
Especificación esencial de la industria
Número de Modelo
IRFZ24NPBF
Tipo
Power Field-Effect Transistors
Marca
E-TAG
Tipo de paquete
Agujero de labranza
Otros atributos
Tipo de montaje
-
Descripción
-
Lugar del origen
Guangdong, China
PAQUETE/cubierta
TO-220-3
d/c
New
Uso
Power Management, Full-Bridge, Push-Pull
Tipo de Proveedor
Fabricante original, Agencia
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD
品名
MOSFET N-CH 55V 17A TO-220AB
Corriente de colector (Ic) (máx.)
25A
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
100V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
4V @ 5A, 25A
Corriente de colector de corte (Max)
1mA
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
10 @ 15A, 4V
Poder-Max
125W
-Frecuencia de transición
3MHz
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de Montaje
A través del orificio
Resistencia Base (R1)
-
Resistencia-emisor Base (R2)
-
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
55V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
17A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
70mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250uA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
370pF @ 25V
Frecuencia
3 MHz
Corriente nominal (en amperios)
25.0 A
Ruido
-
Potencia de salida
45 W
-Tensión nominal
4 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo IGBT de
-
Configuración
-
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
-
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
-
De entrada
-
Termistor NTC
-
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
-
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
-
Corriente de drenaje (Id).
-
-Tensión de corte (VGS) @ Id
-
Resistencia-On (RDS)
-
Tensión
-
Tensión de salida-salida
-
-Tensión Offset (Vt)
-
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
-
Corriente de Valle Iv)
-
Corriente de pico
-
Aplicaciones
Power Management, Full-Bridge, Push-Pull
Tipo de Transistor
-
-
-
Embalaje y entrega
Paquete
IRFZ24NPBF Transistores de efecto de campo de potencia MOSFET 55V 17A TO220AB Circuitos integrados IC chip IRFZ24NPBF
Unidades de venta:
Un solo artículo
Tamaño de paquete único:
4X3X1 cm
Peso bruto único:
0.040 kg
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IRLZ24NPBF
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