Tipo de montaje
Surface Mount
Descripción
transistors fets mosfet rf
Lugar del origen
Taiwan, China
Temperatura de funcionamiento
--
Tipo de Proveedor
N-Channel
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto
Corriente de colector (Ic) (máx.)
-standard
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
-standard
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
-standard
Corriente de colector de corte (Max)
-standard
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
-standard
-Frecuencia de transición
10MHz - 4GHz
Temperatura de funcionamiento
-standard
Tipo de Montaje
Montaje superficial
Resistencia Base (R1)
-standard
Resistencia-emisor Base (R2)
-standard
FET característica
-standard
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
-standard
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
-standard
Rds (Max) @ Id Vgs
-standard
Vgs (th) (Max) @ Id
-standard
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
-standard
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
-standard
Corriente nominal (en amperios)
-
Potencia de salida
21.1dBm
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
-standard
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
-standard
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
-standard
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
-standard
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
-standard
Corriente de drenaje (Id).
-standard
-Tensión de corte (VGS) @ Id
-standard
Resistencia-On (RDS)
-standard
Tensión de salida-salida
-standard
-Tensión Offset (Vt)
-standard
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
-standard
Corriente de Valle Iv)
-standard
Corriente de pico
-standard
Tipo de Transistor
D-pHEMT
Service
One Stop Bom Service
Supplier
Electronic Components
Shipping by
DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS\SFor Other
Condition
Original manufacturer
Lead Free Status
RoHS Compliant
Payment
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