Descripción
TRANSISTORS, MOSFET N-CH 60V 14A TO252
Lugar del origen
Guangdong, China
Tipo
MOSFET, Field-Effect Transistor
Temperatura de funcionamiento
- 55 C, + 175 C, Standard standard
Tipo de Proveedor
Fabricante original, ODM, Agencia, Minorista, Other
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto, Other
Corriente de colector (Ic) (máx.)
Standard
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
Standard
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
Standard
Corriente de colector de corte (Max)
Standard
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
Standard
-Frecuencia de transición
Standard
Resistencia Base (R1)
Standard
Resistencia-emisor Base (R2)
Standard
FET característica
Estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
Standard
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
Standard
Rds (Max) @ Id Vgs
Standard
Vgs (th) (Max) @ Id
Standard
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
Standard
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
Standard
Corriente nominal (en amperios)
Standard
Potencia de salida
Standard
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
Standard
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
Standard
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
Standard
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
Standard
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
Standard
Corriente de drenaje (Id).
Standard
-Tensión de corte (VGS) @ Id
Standard
Resistencia-On (RDS)
Standard
Tensión de salida-salida
Standard
-Tensión Offset (Vt)
Standard
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
Standard
Corriente de Valle Iv)
Standard
Corriente de pico
Standard
Aplicaciones
General Purpose
Drain to Source Voltage
60V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250uA
Gate Charge @ Vgs
18nC @ 5V
Input Capacitance @ Vds
2V @ 250uA
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 42W (Tc)