Tipo de montaje
Transistor
Lugar del origen
Guangdong China
Temperatura de funcionamiento
Otros
Tipo de Proveedor
Fabricante original
Los medios disponibles
Hoja de Datos
Corriente de colector (Ic) (máx.)
Otros
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
Otros
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
Otros
Corriente de colector de corte (Max)
Otros
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
Otros
-Frecuencia de transición
Otros
Temperatura de funcionamiento
other
Tipo de Montaje
Transistor
Resistencia Base (R1)
Otros
Resistencia-emisor Base (R2)
Otros
FET característica
Carburo de silicio (SiC)
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
Otros
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
Otros
Vgs (th) (Max) @ Id
Otros
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
Otros
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
Otros
Corriente nominal (en amperios)
Otros
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
Otros
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
Otros
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
Otros
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
Otros
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
Otros
Corriente de drenaje (Id).
Otros
-Tensión de corte (VGS) @ Id
Otros
Resistencia-On (RDS)
Otros
Tensión de salida-salida
Otros
-Tensión Offset (Vt)
Otros
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
Otros
Corriente de Valle Iv)
Otros
Aplicaciones
Regulador de voltaje
Tipo de Transistor
Transistor
