Tipo de montaje
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Descripción
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Lugar del origen
Kuala Lumpur, Malaysia
Temperatura de funcionamiento
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Referencia cruzada
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Corriente de colector (Ic) (máx.)
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-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
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Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
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Corriente de colector de corte (Max)
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Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
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Poder-Max
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-Frecuencia de transición
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Resistencia Base (R1)
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Resistencia-emisor Base (R2)
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FET tipo
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FET característica
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Tensión de drenador a fuente (Vdss)
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Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
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Rds (Max) @ Id Vgs
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Vgs (th) (Max) @ Id
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La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
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Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
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Frecuencia
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Corriente nominal (en amperios)
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Potencia de salida
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-Tensión nominal
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Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
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Vgs (Max)
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Tipo IGBT de
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Configuración
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Vce (on) (Max) @ Vge Ic
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Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
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De entrada
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Termistor NTC
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-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
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Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
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Corriente de drenaje (Id).
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-Tensión de corte (VGS) @ Id
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Resistencia-On (RDS)
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Tensión de salida-salida
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-Tensión Offset (Vt)
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Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
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Corriente de Valle Iv)
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Corriente de pico
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Aplicaciones
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Tipo de Transistor
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Embalaje
Embalaje original
Formas de envío
DHL \ UPS \ Fedex \ TNT \ EMS \ ARAM
Tiempo de plomo
Dentro de 3 días
