Descripción
Distributed Gate thyristor
PAQUETE/cubierta
R2475ZC28M
Tipo
Distributed Gate Thyristor
Temperatura de funcionamiento
-40 to 140
Serie
Distributed Gate thyristor
Lugar del origen
Zhejiang, China
Tipo de Proveedor
Fabricante original
Referencia cruzada
R2475ZC28M
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto
-Corriente de ruptura
R2475ZC28M
Corriente de disparo de puerta (Igt) (Max)
R2475ZC28M
Actual-espera (Ih) (Max)
R2475ZC28M
Corriente en estado (AV) (máx.)
R2475ZC28M
Corriente en estado (RMS) (máx.)
R2475ZC28M
Temperatura de funcionamiento
-40 °C ~ 140 °C
-Tensión de ruptura
R2475ZC28M
-Tensión de disparo de puerta (Vgt) (Max)
R2475ZC28M
Tensión en estado (Vtm) (Max)
R2475ZC28M
Especificaciones
R2475ZC28M
Typical Applications
Controlled DC power supplies
Circuit configuration
Single SCR
