STGWA25M120DF3 IGBT Transistores Trench Gate field-Stop IGBT M series 1200 V 25 A baja pérdida

Name: STGWA25M120DF3 IGBT Transistores Trench Gate field-Stop IGBT M series 1200 V 25 A baja pérdida
Brand: Shenzhen Yaoling Technology Co., Ltd.
SKU: 1601287412634
Price: 0.84 USD
Availability: InStock

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Shenzhen Yaoling Technology Co., Ltd.

Proveedor multi-especialidad 1 yr

STGWA25M120DF3 IGBT Transistores Trench Gate field-Stop IGBT M series 1200 V 25 A baja pérdida

Rendimiento de alta potencia: el transistor IGBT STGWA25M120DF3 ofrece una potencia máxima de 375W, lo que lo hace adecuado para aplicaciones exigentes. Su clasificación de alto voltaje de 1200V y su clasificación de corriente de 50A garantizan un funcionamiento fiable en diversos entornos industriales y comerciales.
Baja pérdida y eficiencia energética: Este transistor IGBT presenta un diseño de parada de campo de puerta de trinchera, que reduce las pérdidas de potencia y mejora la eficiencia energética general. Esto se traduce en un ahorro de costes y un mayor rendimiento del sistema.
Amplio Rango de temperatura de funcionamiento: el transistor funciona dentro de un amplio rango de temperatura de-55 ° C a 175 ° C (TJ), lo que le permite funcionar eficazmente en diversas condiciones ambientales.
Tipo de montaje a través del orificio: El tipo de paquete TO-247-3 de este transistor IGBT ofrece un fácil montaje e instalación, lo que lo convierte en una opción conveniente para diseñadores y fabricantes.
Garantía original del 100%: Como producto original del fabricante, el transistor IGBT STGWA25M120DF3 viene con una garantía original del 100%, lo que garantiza un rendimiento y fiabilidad de alta calidad. Además, Aceptamos devoluciones y reembolsos en caso de problemas de calidad.

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Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo

STGWA25M120DF3

Tipo

IGBT Transistor

Marca

other

Tipo de paquete

Agujero de labranza

Otros atributos

Tipo de montaje

Through Hole

Descripción

IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247

Lugar del origen

standard

PAQUETE/cubierta

TO-247-3

Tipo

IGBT Transistors

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C(TJ)

Serie

d/c

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Uso

Propósito general

Tipo de Proveedor

Fabricante original

Los medios disponibles

Hoja de Datos

品名

IGBT

Corriente de colector (Ic) (máx.)

50A

-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)

1200V

Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce

2.3V 15V,25A

Poder-Max

375W

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C(TJ)

Tipo de Montaje

A través del orificio

Grade

Standard

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Tube

Factory pack quantity(pcs)

600

MOQ(pcs)

600

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100% original,accept returns and refunds If any quality issues

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