Tipo de montaje
Throughhole (agujero pasante)
Descripción
Transistores MOSFET 75V 80A
Lugar del origen
Guangdong, China
PAQUETE/cubierta
TO-220-3
Tipo
MOSFETs FETs individuales
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de Proveedor
Minorista, ODM, Fabricante original, Agencia
Referencia cruzada
Transistor
Los medios disponibles
Foto, EDA/modelos CAD, Otros
品名
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
Corriente de colector (Ic) (máx.)
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
75V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
80A (Tc)
Corriente de colector de corte (Max)
11mOhm @ 40A, 10V
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
4V @ 250ua
-Frecuencia de transición
3700pF @ 25V
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de Montaje
A través del orificio
Resistencia Base (R1)
Nulo
Resistencia-emisor Base (R2)
Nulo
FET característica
Transistor de efecto de campo
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
3700pF @ 25V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
Nulo
Vgs (th) (Max) @ Id
± 20V
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
Nulo
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
3700pF @ 25V
Corriente nominal (en amperios)
Nulo
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
Nulo
Configuración
Tres inversor de fase
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
Nulo
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
Nulo
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
Nulo
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
Nulo
Corriente de drenaje (Id).
Nulo
-Tensión de corte (VGS) @ Id
Nulo
Resistencia-On (RDS)
Nulo
Tensión de salida-salida
Nulo
-Tensión Offset (Vt)
Nulo
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
Nulo
Corriente de Valle Iv)
Nulo
Tipo de Transistor
Transistor
