Lugar del origen
Hubei, China
Clasificación de instrumento
Clase II
Número de Modelo
HD-Cure X
Medio láser
Semiconductor de GaAIAs
Longitud de onda del láser
808nm y 650nm
Salida láser terminal
4x808nm rayos láser, 500mW cada haz
Salida láser Terminal 2
10x650nm rayos láser, 30mW cada haz
Potencia de salida total
2300mW
Capacidad de la batería
Batería de litio incorporada 5200mAh
Modo DE TRABAJO
Modo continuo y pulsado 10Hz
Material del caso
Aluminio
Visualización
Pantalla LED blanca
Ajuste del tiempo
30s-3 opciones de minutos, cada grado aumenta 30 segundos
