Lugar del origen
Taiwan, Japan
Tipo de Proveedor
Fabricante Original
Los medios disponibles
Hoja de Datos
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
Original
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
Original
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
Original
-Frecuencia de transición
Original
Temperatura de funcionamiento
Original
Tipo de Montaje
A través del orificio
Resistencia Base (R1)
Original
Resistencia-emisor Base (R2)
Original
FET característica
Carburo de silicio (SiC)
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
Original
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
Original
Rds (Max) @ Id Vgs
Original
Vgs (th) (Max) @ Id
Original
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
Original
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
Original
Corriente nominal (en amperios)
Original
Potencia de salida
Original
-Tensión nominal
Original
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
Original
