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NTTFS4C10NTAG MOSFET de efecto de campo 30V 8.2A serigrafía de canal N 4C10
NTTFS4C10NTAG MOSFET de efecto de campo 30V 8.2A serigrafía de canal N 4C10
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NTTFS4C10NTAG MOSFET de efecto de campo 30V 8.2A serigrafía de canal N 4C10
NTTFS4C10NTAG MOSFET de efecto de campo 30V 8.2A serigrafía de canal N 4C10
NTTFS4C10NTAG MOSFET de efecto de campo 30V 8.2A serigrafía de canal N 4C10
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NTTFS4C10NTAG MOSFET de efecto de campo 30V 8.2A serigrafía de canal N 4C10

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SIS412DN-Transistor de efecto de campo <span class=keywords><strong>Semiconductor</strong></span> MOSFET, MOSFET de óxido de Metal, S412, QFN, nuevo
SIS412DN-Transistor de efecto de campo <span class=keywords><strong>Semiconductor</strong></span> MOSFET, MOSFET de óxido de Metal, S412, QFN, nuevo
SIS412DN-Transistor de efecto de campo <span class=keywords><strong>Semiconductor</strong></span> MOSFET, MOSFET de óxido de Metal, S412, QFN, nuevo
SIS412DN-Transistor de efecto de campo <span class=keywords><strong>Semiconductor</strong></span> MOSFET, MOSFET de óxido de Metal, S412, QFN, nuevo

SIS412DN-Transistor de efecto de campo Semiconductor MOSFET, MOSFET de óxido de Metal, S412, QFN, nuevo

0,1592-0,2715 €
Pedido mínimo: 1 pieza
Tubo de efecto de campo de una parada bom IKW40N120CS7 K40MCS7 TO247 1200V 40A MOS, triodo de potencia IKW40N120
Tubo de efecto de campo de una parada bom IKW40N120CS7 K40MCS7 TO247 1200V 40A MOS, triodo de potencia IKW40N120
Tubo de efecto de campo de una parada bom IKW40N120CS7 K40MCS7 TO247 1200V 40A MOS, triodo de potencia IKW40N120
Tubo de efecto de campo de una parada bom IKW40N120CS7 K40MCS7 TO247 1200V 40A MOS, triodo de potencia IKW40N120
Tubo de efecto de campo de una parada bom IKW40N120CS7 K40MCS7 TO247 1200V 40A MOS, triodo de potencia IKW40N120
Tubo de efecto de campo de una parada bom IKW40N120CS7 K40MCS7 TO247 1200V 40A MOS, triodo de potencia IKW40N120

Tubo de efecto de campo de una parada bom IKW40N120CS7 K40MCS7 TO247 1200V 40A MOS, triodo de potencia IKW40N120

0,0937-0,3745 €
Pedido mínimo: 10 piezas
La entrega rápida electrónica se especializa en el chip IC integrado TO-247 RF <span class=keywords><strong>semiconductor</strong></span> de óxido de metal transistor de efecto de campo MRF300
La entrega rápida electrónica se especializa en el chip IC integrado TO-247 RF <span class=keywords><strong>semiconductor</strong></span> de óxido de metal transistor de efecto de campo MRF300
La entrega rápida electrónica se especializa en el chip IC integrado TO-247 RF <span class=keywords><strong>semiconductor</strong></span> de óxido de metal transistor de efecto de campo MRF300
La entrega rápida electrónica se especializa en el chip IC integrado TO-247 RF <span class=keywords><strong>semiconductor</strong></span> de óxido de metal transistor de efecto de campo MRF300
La entrega rápida electrónica se especializa en el chip IC integrado TO-247 RF <span class=keywords><strong>semiconductor</strong></span> de óxido de metal transistor de efecto de campo MRF300
La entrega rápida electrónica se especializa en el chip IC integrado TO-247 RF <span class=keywords><strong>semiconductor</strong></span> de óxido de metal transistor de efecto de campo MRF300

La entrega rápida electrónica se especializa en el chip IC integrado TO-247 RF semiconductor de óxido de metal transistor de efecto de campo MRF300

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0,1966-0,9737 €
Pedido mínimo: 1 pieza
STU5N95K5 TO 251-3 IPAK ST/tubo de efecto de campo <span class=keywords><strong>semiconductor</strong></span> = LYS
STU5N95K5 TO 251-3 IPAK ST/tubo de efecto de campo <span class=keywords><strong>semiconductor</strong></span> = LYS

STU5N95K5 TO 251-3 IPAK ST/tubo de efecto de campo semiconductor = LYS

0,1311 €
Envío por pieza: 11,35 €
Pedido mínimo: 1 pieza
ICZX <span class=keywords><strong>Semiconductor</strong></span> efecto de campo RF MOSFET transistor potencia de la PD85025-E
ICZX <span class=keywords><strong>Semiconductor</strong></span> efecto de campo RF MOSFET transistor potencia de la PD85025-E
ICZX <span class=keywords><strong>Semiconductor</strong></span> efecto de campo RF MOSFET transistor potencia de la PD85025-E
ICZX <span class=keywords><strong>Semiconductor</strong></span> efecto de campo RF MOSFET transistor potencia de la PD85025-E
ICZX <span class=keywords><strong>Semiconductor</strong></span> efecto de campo RF MOSFET transistor potencia de la PD85025-E
ICZX <span class=keywords><strong>Semiconductor</strong></span> efecto de campo RF MOSFET transistor potencia de la PD85025-E

ICZX Semiconductor efecto de campo RF MOSFET transistor potencia de la PD85025-E

26,29-28,09 €
Pedido mínimo: 100 piezas
Transistor de efecto de campo <span class=keywords><strong>semiconductor</strong></span> de óxido de metal de canal N Yarun IRF3205 (MOSFET), soldador inversor de transistor TO-220 55V 110A
Transistor de efecto de campo <span class=keywords><strong>semiconductor</strong></span> de óxido de metal de canal N Yarun IRF3205 (MOSFET), soldador inversor de transistor TO-220 55V 110A
Transistor de efecto de campo <span class=keywords><strong>semiconductor</strong></span> de óxido de metal de canal N Yarun IRF3205 (MOSFET), soldador inversor de transistor TO-220 55V 110A
Transistor de efecto de campo <span class=keywords><strong>semiconductor</strong></span> de óxido de metal de canal N Yarun IRF3205 (MOSFET), soldador inversor de transistor TO-220 55V 110A

Transistor de efecto de campo semiconductor de óxido de metal de canal N Yarun IRF3205 (MOSFET), soldador inversor de transistor TO-220 55V 110A

0,0937 €
Pedido mínimo: 1 pieza
Matriz de puerta programable de campo <span class=keywords><strong>semiconductor</strong></span> IC lógico programable, lógica programable, de 2000 y 2000
Matriz de puerta programable de campo <span class=keywords><strong>semiconductor</strong></span> IC lógico programable, lógica programable, de 2000 y 2000
Matriz de puerta programable de campo <span class=keywords><strong>semiconductor</strong></span> IC lógico programable, lógica programable, de 2000 y 2000
Matriz de puerta programable de campo <span class=keywords><strong>semiconductor</strong></span> IC lógico programable, lógica programable, de 2000 y 2000
Matriz de puerta programable de campo <span class=keywords><strong>semiconductor</strong></span> IC lógico programable, lógica programable, de 2000 y 2000
Matriz de puerta programable de campo <span class=keywords><strong>semiconductor</strong></span> IC lógico programable, lógica programable, de 2000 y 2000

Matriz de puerta programable de campo semiconductor IC lógico programable, lógica programable, de 2000 y 2000

0,9362 €
Pedido mínimo: 1 pieza

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