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Matriz de puerta programable de campo Fpga IC de Chip FPGA Original nuevo/I5 en Stock

Matriz de puerta programable de campo Fpga IC de Chip FPGA Original nuevo/I5 en Stock

46,81 €

Pedido mínimo: 1 pieza

BF 2040 E6814 original Electronic Components Integrated circuit supplier RF metal oxide <strong>semiconductor</strong> <strong>field</strong> effect

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0,0937 €

Pedido mínimo: 30 piezas

Circuitos integrados lógicos programables de semiconductores, matriz de puertas programables en campo, en stock, 10M02SCE144I7G

Circuitos integrados lógicos programables de semiconductores, matriz de puertas programables en campo, en stock, 10M02SCE144I7G

1.685,11-1.769,36 €

Pedido mínimo: 1 pieza

STGWA80H65DFB STGWA80 Good Quality IGBT Trench <strong>Field</strong> Stop 650 V 120 A 469 W Through Hole TO-247 Long Leads

STGWA80H65DFB STGWA80 Good Quality IGBT Trench <strong>Field</strong> Stop 650 V 120 A 469 W Through Hole TO-247 Long Leads

STGWA80H65DFB STGWA80 Good Quality IGBT Trench <strong>Field</strong> Stop 650 V 120 A 469 W Through Hole TO-247 Long Leads

STGWA80H65DFB STGWA80 Good Quality IGBT Trench <strong>Field</strong> Stop 650 V 120 A 469 W Through Hole TO-247 Long Leads

STGWA80H65DFB STGWA80 Good Quality IGBT Trench <strong>Field</strong> Stop 650 V 120 A 469 W Through Hole TO-247 Long Leads

STGWA80H65DFB STGWA80 Good Quality IGBT Trench <strong>Field</strong> Stop 650 V 120 A 469 W Through Hole TO-247 Long Leads

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STGWA80H65DFB STGWA80 Good Quality IGBT Trench Field Stop 650 V 120 A 469 W Through Hole TO-247 Long Leads

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3,95 €

Pedido mínimo: 50 piezas

Objetivo de pulverización rotativa de titanio Gr2 de alta resistencia al calor 99.8% de alta calidad para campo de semiconductores

Objetivo de pulverización rotativa de titanio Gr2 de alta resistencia al calor 99.8% de alta calidad para campo de semiconductores

Objetivo de pulverización rotativa de titanio Gr2 de alta resistencia al calor 99.8% de alta calidad para campo de semiconductores

Objetivo de pulverización rotativa de titanio Gr2 de alta resistencia al calor 99.8% de alta calidad para campo de semiconductores

Objetivo de pulverización rotativa de titanio Gr2 de alta resistencia al calor 99.8% de alta calidad para campo de semiconductores

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25,28-35,58 €

Pedido mínimo: 1 kilogramo

Boquilla de recubrimiento de área grande, boquilla atomizadora ultrasónica, grabado de oblea en campo de semiconductores, uso en el sector de la oblea

Boquilla de recubrimiento de área grande, boquilla atomizadora ultrasónica, grabado de oblea en campo de semiconductores, uso en el sector de la oblea

Boquilla de recubrimiento de área grande, boquilla atomizadora ultrasónica, grabado de oblea en campo de semiconductores, uso en el sector de la oblea

Boquilla de recubrimiento de área grande, boquilla atomizadora ultrasónica, grabado de oblea en campo de semiconductores, uso en el sector de la oblea

Boquilla de recubrimiento de área grande, boquilla atomizadora ultrasónica, grabado de oblea en campo de semiconductores, uso en el sector de la oblea

Boquilla de recubrimiento de área grande, boquilla atomizadora ultrasónica, grabado de oblea en campo de semiconductores, uso en el sector de la oblea

Boquilla de recubrimiento de área grande, boquilla atomizadora ultrasónica, grabado de oblea en campo de semiconductores, uso en el sector de la oblea

4.680,85-12.170,20 €

Pedido mínimo: 1 conjunto

Suministro profesional de 99.9% Pure Cas 1314-36-9 Polvo de pulverización de óxido de itrio para campo de semiconductores

Suministro profesional de 99.9% Pure Cas 1314-36-9 Polvo de pulverización de óxido de itrio para campo de semiconductores

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42,13-51,49 €

Pedido mínimo: 1 kilogramo

Transistores IGBT de campo mosfet 40T65 40N65d 650V 80A 349W TO-3P 40N65 FGA40N65 FGA40N65SMD

Transistores IGBT de campo mosfet 40T65 40N65d 650V 80A 349W TO-3P 40N65 FGA40N65 FGA40N65SMD

Transistores IGBT de campo mosfet 40T65 40N65d 650V 80A 349W TO-3P 40N65 FGA40N65 FGA40N65SMD

Transistores IGBT de campo mosfet 40T65 40N65d 650V 80A 349W TO-3P 40N65 FGA40N65 FGA40N65SMD

Transistores IGBT de campo mosfet 40T65 40N65d 650V 80A 349W TO-3P 40N65 FGA40N65 FGA40N65SMD

Transistores IGBT de campo mosfet 40T65 40N65d 650V 80A 349W TO-3P 40N65 FGA40N65 FGA40N65SMD

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Transistores IGBT de campo mosfet 40T65 40N65d 650V 80A 349W TO-3P 40N65 FGA40N65 FGA40N65SMD

1,76-1,77 €

Pedido mínimo: 100 piezas

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Placas de desarrollo, módulos y kits electrónicos

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